摘要
采用Czochralski提拉法生长出无宏观缺陷、光学质量较好的不同掺铟钬量的单晶In:Ho:LiNbO3。
用X射线粉末衍射法，紫外可见吸收光谱，红外吸收光谱来研究In:Ho:LiNbO3的晶体结构，通过分析In3+、Ho3+掺杂浓度对OH-吸收峰位峰位的影响，从而解释了In3+、Ho3+在LiNbO3中的占位规律，结果表明Ho3+占据反位铌的位置，In3+占据位，而In浓度达到3 mol%时，In3+则占据Nb位。测试了晶体(300)面的X射线衍射，分析了In3+、Ho3+掺杂浓度对衍射峰半高宽的影响，从而得知晶体结晶质量随In3+、Ho3+掺杂浓度的升高而降低。
用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光损伤性能，研究了In3+、Ho3+掺杂浓度对晶体抗光损伤能力的影响，结果表明晶体抗光损伤能力随In3+、Ho3+掺杂浓度增大而提高，但Ho3+掺杂浓度超过1mol%后晶体抗光损伤能力变化不大。
关键词In:Ho:LiNbO3晶体；光谱性能；Judd-Ofelt理论
目录
摘要I
Abstract II
第1章绪论5
1.1课题背景5
1.1.1研究意义5
1.1.2国内外研究现状分析6
1.1.3论文研究的主要内容7
第2章铌酸锂晶体生长及加工8
2.1实验材料的准备及配比方案8
2.2实验设备9
2.3晶体生长工艺9
2.3.1温度场的确定10
2.3.2晶体转速的选择10
2.3.3晶体生长速度的选择11
2.4晶体生长过程12
2.4.1预烧结12
2.4.2熔料12
2.4.3引晶12
2.4.4放肩13
2.4.5等径生长13
2.4.6拉脱13
2.4.7降温退火13
2.5晶体的加工处理13
2.5.1退火和极化处理13
2.5.2晶体加工15
2.6本章小结16
第3章In:Ho:LiNbO3晶体结构与缺陷17
3.1引言17
3.2 LiNbO3晶体的结构和性能17
3.2.1 LiNbO3的晶体结构17
3.2.2铌酸锂晶体的缺陷结构18
3.2.3铌酸锂晶体的性能20
3.2.4铌酸锂晶体的特点及应用20
3.3 OH-吸收峰位与掺杂离子浓度的关系21
3.3.1基本原理21
3.3.2红外吸收光谱21
3.4紫外吸收边与掺杂离子浓度的关系22
3.5 XRD法测试晶体微观缺陷23
3.5.1 X射线粉末衍射法23
3.5.2 X射线衍射图谱及晶格常数的计算值.24
3.6本章小结26
第4章In:Ho:LiNbO3晶体抗光损伤性能的研究27
4.1 In:Ho:LiNbO3晶体抗光损伤性能的测试27
4.1.1测试装置搭建与晶体抗光损伤性能测试27
4.1.2掺铟钬量对In:Ho:LiNbO3晶体抗光损伤性能的影响28
4.2本章小结29
结论30
致谢31
参考文献32
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