摘要
有机半导体材料因轻、廉、柔性兼容等优点，广泛用于光电子领域。基于光诱导效应的光敏场效应晶体管可放大光电流，是实现全有机图像传感器的前景器件。由于铅基钙钛矿的毒性和对水、热、光等因素的敏感性，发展非铅稳定的钙钛矿材料已成为该领域的研究热点。本文基于铯铋碘钙钛矿分别和C8、CuPc、并五苯的异质结有机光敏场效应管分别研究其光照和非光照条件下的器件输出特性曲线。通过对比有机物所制作的场效应管和有机物和铯铋碘的所制作的有机光敏场效应管的输出特性曲线，得出铯铋碘类钙钛矿和有机物所制作的有机光敏场效应管的优劣。
关键词光敏场效应管；类钙钛矿；有机异质结
引言
1839年，科学家罗斯在俄罗斯的乌拉尔山脉命名了一种CaTiO3矿物为“钙钛矿”，以纪念俄罗斯矿物学家Lev Alekseyevich von Perovski，并成为地球科学领域中重要的矿物[1]。钙钛矿是一种在有机光电器件中具有广泛应用的材料，其具有高效的光电转换效率、广泛的光谱响应和稳定的光电性能。此外，其制备和加工也相对容易，可以实现低成本生产。光电二极管和有机双极光电晶体管的缺点是光生载流子寿命短、光增益小，不适用于实际应用[2]。相比之下，有机光敏场效应晶体管利用跨导放大光电流，具有高增益和良好信噪比，应用前景广阔。钙钛矿光电探测器结合了半导体的优异光电性能和溶液处理的优点，是新型光电器件并广泛应用[3]。光敏场效应晶体管(PTs)结构简单，易于集成电路应用。无机材料的PTs经历发展，但存在成本高和重量大的问题。近年来，有机光敏场效应晶体管(OPTs)受到关注，可在单一器件中完成光检测、光调制、开关功能，并且具有较低成本和轻质等优点。OPTs采用多种有机材料，并以响应率(R)、明暗电流比(P)等参数评估其性能[4]。
钙钛矿最初是由俄罗斯地质学家Perovski发现的一种稀有矿物，其组成为CaTiO3。随后，人们相继发现了具有相同结构的矿物质，如SrTiO3等，并将这些矿物称为钙钛矿结构[5]。钙钛矿材料在光电元件中广泛应用，因其高光吸收系数、高载流子迁移率、长载流子扩散长度、浅缺陷能级、高结晶度等优点[6]。其光电器件具有制备工艺简单、成本低、性能高等优点，成为光电应用领域的热门材料。近年来，钙钛矿材料在光电领域有出色的性质，如太阳能电池已达25.7%的PCE。然而，湿热和光照会影响其稳定性，同时Pb的毒性也限制了其进一步发展。因此，解决无机钙钛矿Pb毒性和稳定性问题成为研究方向[7]。钙钛矿光敏场效应管（perovskite phototransistors）是一种基于钙钛矿材料的光电器件，具有高灵敏度、快速响应和低噪声等优点。然而，其在发展过程中仍存在许多限制因素。首先，钙钛矿光敏场效应管的稳定性问题仍然很严重。这种器件中使用的钙钛矿材料容易受到湿度、温度、光照等环境因素的影响，导致器件性能下降甚至失效。为了解决这个问题，研究人员正在寻找更加稳定的钙钛矿材料以及制备技术。其次，钙钛矿光敏场效应管的制备成本仍然比较高。当前，大部分的制备方法需要使用高温、高真空等条件，使得制备设备和工艺比较昂贵，难以实现规模化生产。因此，如何降低制备成本是一个待解决的问题。另外，钙钛矿光敏场效应管的可靠性还需要进一步提高。由于器件中使用的材料和结构比较复杂，容易出现性能波动、寿命不稳定等问题，限制了其在实际应用中的发展。最后，钙钛矿光敏场效应管的集成性和可扩展性也是需要解决的问题。目前，该器件还没有得到很好的集成，难以与其他器件组合使用。同时，在大规模生产方面也存在一些问题，需要更加完善的工艺和设备来支持其生产和应用。综上所述，钙钛矿光敏场效应管的发展受到了多方面的限制因素，需要在材料、制备、性能等方面进行深入研究和探索，以进一步提高其性能和应用范围。
本课题的研究方向是制备一种高性能、无毒性的类钙钛矿/有机异质结的光敏场效应管。钙钛矿光敏场效应管是一种光电传感器件，具有高灵敏度、高响应速度和低噪声等优点，因此在光电领域中应用广泛。但是，随着研究的深入，传统的钙钛矿材料存在着稳定性和毒性问题，这成为了其进一步发展的限制因素。相比之下，铯铋碘材料（Cs3Bi2I9）作为一种新型无机光伏材料，在光电性能和稳定性方面具有很大的优势，可以用于制作有机光敏场效应管。首先，铯铋碘材料的带隙宽度较小，能够在可见光谱范围内吸收大量的光子，因此具有良好的光电转换性能。其次，铯铋碘材料的晶格结构稳定，不受湿热环境的影响，具有很强的稳定性，并且不含有毒的重金属元素，因此更加环保和安全。另外，铯铋碘材料也有一些其他的优点，例如易于合成和制备、价格低廉等。因此，铯铋碘材料相比于传统的钙钛矿材料在制作有机光敏场效应管方面具有很大的潜力和应用前景。通过对文献的查阅以及了解光敏场效应管的原理和结构，然后了解其制备流程利用超声波清洗器、匀胶机、高真空多源镀膜仪等仪器制作了基于铯铋碘的有机光敏场效应管。再利用探针台和半导体分析仪计算该光敏场效应管的输出和转移。最后探讨铯铋碘有机光敏场效应管未来的发展与应用。
第一章光敏场效应管的研究进展
1.1.场效应管的发展
OFET是20世纪70年代提出的，当时发现了导电聚合物。在此基础上，有机场效应晶体管的研究不断深入，20世纪80年代出现了基于聚合物和小分子的OFET。1986年，Tsumura等人报道了基于聚噻吩的OFET，这是最早有明显输出电流的有机场效应晶体管之一[8,9]。早期的场效应管是单极性的，只能控制正电荷或负电荷的电流，应用范围有限。1960年代中期，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）问世，它采用了金属氧化物半导体结构，具有高输入电阻、低噪声、低功耗等优点，被广泛应用于各种电子设备中。随着技术的不断进步，FET的性能不断提高，尺寸不断缩小，功耗不断降低，应用范围也不断扩大。目前，FET已经成为各种电子设备中不可或缺的元件，如放大器、开关、振荡器、电压稳压器等。未来，随着人工智能、物联网等新兴领域的快速发展，FET的应用前景将更加广阔。同时，FET也面临着诸多挑战，如功耗、热效应、尺寸限制等问题，需要不断研究和创新来解决。
1.2.钙钛矿有机光敏场效应管的发展
光探测器在成像、监测、信号传输等方面起着重要的作用。具有高迁移率、高吸收系数的有机金属卤代钙钛矿材料使低成本、宽光谱响应以及高灵敏度的新型光探测器成为了可能。目前，钙钛矿光伏器件是国内外研究热点，并在很多领域取得了巨大的进展。但是基于钙钛矿材料的光敏探测器研究尚处于起步阶段，有很多问题急需解决[10]。钙钛矿材料拥有多项优点，如直接带隙、高光吸收系数、强缺陷耐受性和长载流子扩散长度等。因此，研究人员认为它是制备快速响应和超高灵敏度的光电探测器的主要材料之一[11-13]。钙钛矿有机光敏场效应管是一种新型光电器件，具有高灵敏度、宽工作波长范围、低制造成本等优点。
1.3.光敏场效应管的原理
PhotOFET是一种采用有机光敏材料作为活性层的场效应管。在底栅顶接触的情况下，当处于黑暗条件时，有机活性层仅作为载流子传输层，栅极电场在该层诱导出载流子形成导电沟道。当施加适当的电场时，载流子从源电极注入有机半导体层，经流导电沟道从漏电极流出，从而表现出场效应特性。当光照时，有机半导体层既要传输载流子又要吸收光子，产生光生载流子和光生电流，器件同时展现出光敏和场效应特性[14]。PhotOFET的基本工作机制包括四个过程：
（一）光吸收，当光照射到器件沟道时，光敏材料吸收光子并形成激子，即束缚在一起的空穴-电子对[15]。
（二）激子传输，激子在光敏层表面产生较多，随着浓度梯度向四周扩散。
（三）激子解离，激子扩散至异质结界面附近，受电场作用分离为自由空穴和自由电子。电场越大，激子解离越容易。
（四）载流子传输，分离的空穴和电子在p型和n型材料中传输，并最终到达对应的电极被收集或抽出。
图1光敏有机场效应管晶体管工作原理图
1.4.photOFET的结构
PhotOFET器件由栅电极、衬底材料、绝缘层、有机活性层及源漏电极组成。根据三个电极与活性层的相对位置，最基本的结构分为底栅底接触、底栅顶接触、顶栅顶接触和顶栅底接触。底栅结构的器件可采用覆盖氧化硅的单晶硅作为栅极和栅介质层，有利于生长均匀性好的有机薄膜。对于顶栅结构的器件，其栅介质薄膜的制备过程可能会对下层有机活性层薄膜产生损伤，影响器件性能。底接触的源漏电极易于制备和图形化，但接触电阻较大。而顶接触电极接触电阻较小，迁移率相对较高。因此，多数光敏有机场效应晶体管采用底栅顶接触结构。
第二章类钙钛矿材料的研究进展
2.1.类钙钛矿材料的发展
类钙钛矿材料是一种重要的功能材料，具有广泛的应用前景。其发展历程可以追溯到20世纪初，最初是被用作绿色荧光剂和电极材料。随着材料科学和工程的快速发展，类钙钛矿材料的研究逐渐深入，各种新型的类钙钛矿材料相继被发现。
钙钛矿太阳能电池具有低成本、窄能带、高吸光系数、高载流子迁移率以及易于封装和规模化生产等优点[16]。其中，有机-无机钙钛矿太阳能是当前的研究热点，其已经实现高达24%的光电转换效率[17]。此外，类钙钛矿材料在磁性、光电、电储能、光催化等领域也有广泛的应用，如用于制备高效的光催化剂、制备锂离子电池等。未来，类钙钛矿材料的研究将继续深入，主要集中在材料性能的提高、制备工艺的优化和应用领域的拓展等方面。随着新技术的不断涌现，类钙钛矿材料将会有更广阔的应用前景，为人类带来更多的福利。
2.2.类钙钛矿材料的优点
类钙钛矿光敏场效应管是一种新型的光电子器件，相比于传统的钙钛矿光敏场效应管具有以下优点：
（一）更高的光电转换效率：类钙钛矿光敏场效应管可以实现更高的光电转换效率，这是由于其具有更宽的光吸收范围和更高的载流子迁移率。
（二）更高的稳定性：类钙钛矿光敏场效应管具有更高的稳定性，这是由于其材料本身的稳定性更高，同时也可以通过优化器件结构和制备工艺来提高器件的稳定性。
（三）更低的制备成本：类钙钛矿光敏场效应管的制备成本相对较低，这是由于其材料成本更低，同时也可以通过简单的制备工艺来实现器件的制备[18]。
（四）更广泛的应用领域：类钙钛矿材料可以应用于更广泛的领域，如太阳能电池、光电控制器和光电传感器等[19]。
（五）低毒性：尽管钙钛矿发光的研究近年来取得了不错的进展，但仍存在一些亟待改善的问题。首先，钙钛矿的稳定性较差[20]，易受氨类、醇类等物质的影响，且容易在潮湿环境下分解。其次，钙钛矿中含有毒性较大的铅元素，如果超标，将对人体神经系统造成破坏，并对环境造成极大危害[21]。这些缺点将大大影响铅基钙钛矿的应用前景。因此，非铅钙钛矿材料的研究变得极具意义，旨在在保留铅基钙钛矿优异性能的同时解决其稳定性和毒性等问题[22]。研究发现铋基类钙钛矿是一种有潜力的发光材料，具有适宜的发光波长、良好的稳定性和低毒性[23]。
综上所述，类钙钛矿光敏场效应管相比于传统的钙钛矿光敏场效应管具有更高的光电转换效率、更高的稳定性、更低的制备成本和更广泛的应用领域，因此具有更好的发展前景[24]。
2.3.铯铋碘材料的研究进展
三元卤化铯铋钙钛矿(Cs3Bi2I9)是一种新的低毒性和空气稳定的化合物，在高性能光伏应用中备受关注。它属于钙钛矿家族，具有深樱桃红色的特点，易于在低温下合成[25]。Cs3Bi2I9的晶型包括单斜、三角和六方三种，目前，关于Cs3Bi2I9的研究主要集中在六方相[26]。
2015年Ioan Baltog[27]课题组用拉曼光谱研究了Cs3Bi2Ig9晶体结构中的激子-声子相互作用。实验发现，激子-声子相互作用的强度与晶体中的缺陷和[Bi2I9]-3簇中激发态相互作用的类型有关。捕获的激子形成的PL带表现出晶体中的缺陷，减少激子的运动，从而显著减少了激子-声子耦合。2020年，Shengzhong Liu[28]研究团队开发出一种低温溶液法，可以控制Cs3Bi2I9钙钛矿的成核，并成功生长了尺寸为12mm×12mm×3mm的高质量单晶。Cs3Bi2I9单晶具有高X射线吸收效率、低缺陷态密度和离子迁移率以及低噪声电流的优点，使用这种单晶制备的探测器表现出了较高的探测性能。
Cs3Bi2I9的研究主要集中于其光电性能,Cs3Bi2I9材料具有良好的光电性能和应用前景，在太阳能电池、光电探测器、光电传感器等领域具有广泛的应用前景。未来，Cs3Bi2I9材料的研究将会更加深入，为相关领域的发展做出更大的贡献。
第三章基于铯铋碘和并五苯的异质结光敏场效应管的制备与研究
3.1.器件的制备
3.1.1.硅片以及掩模版的清洗
硅片清洗的步骤以及作用：
1.新裁切硅片先用棉球蘸新丙酮擦洗一遍，注意镊子不要划伤硅片；目的是去除硅片表面的杂质和污垢，以确保硅片表面的干净和平滑，方便后续的测试和加工，同时也可以减少因表面污染引起的电性能测试误差。注意镊子不要划伤硅片是为了避免在清洁过程中对硅片表面造成额外的损伤和划痕，影响后续测试和加工的结果。
2.丙酮超洗十分钟；目的是去除表面上的污染物、油脂、残留物等，以确保硅片表面干净无尘，从而提高后续加工和制备过程的成功率和质量。
3.乙醇超洗十分钟；目的是清洗表面，去除污垢、油脂和有机物等杂质，以便进行后续加工或实验。
4.去离子水超洗十分钟后大量去离子水冲洗；目的是彻底去除任何可能附着在表面的离子或其他杂质，以确保在制造半导体器件时获得最高的质量和可靠性。
5.氮气枪吹干；目的是避免在晶圆表面留下水印或水迹，同时也能够去除残留的水分快速干燥晶圆以便进行下一步加工。
6.60度烘箱烘干备用；目的是将其表面和内部的水分完全去除，以确保其表面干净，不会在后续处理中引入任何杂质或污染物。
7.使用之前等离子体清洗15分钟后迅速放入手套箱蒸发台镀膜；目的是在表面形成一层均匀的薄膜，以改善其电学、磁学或光学性能。
实验中，将硅片切成2cm*2cm的方片，热生长500nm的SiO2作为栅绝缘介质。随后，采用丙酮、无水乙醇和去离子水分别进行超声波清洗10分钟，并用高纯N2进行吹干，最后在60℃真空干燥箱中烘干30分钟。掩模版进行类似的处理，需要特别注意擦拭干净以去除有机物残留。
3.1.2.器件的制备
（一）配置4ml的铯铋碘(Cs3Bi2I9)溶液。
1.取一个洁净的容器，比如试管或烧杯。
2.由化学式（1）计算得加入所需的量的624mg的CsI粉末和944mg粉末的Bi2I3，需要使用精密天平称量以确保准确性。
3.加入3.6ml的DmF和0.4ml的Dmso的溶剂，使总体积为4 ml。可以用移液管定量加入。
4.用超声波设备将溶剂和盐彻底混合，溶解20分钟，此时钙钛矿溶液变成深红色，最后使用22nm的过滤器过滤。
（二）铯铋碘的镀膜
反溶剂法的原理：
先将钙钛矿材料溶解在适当的溶剂中形成前驱体溶液，然后在前驱液旋涂过程中加入反溶剂，使前驱体溶液进入过饱和状态，从而快速析出钙钛矿晶体核，进而结晶生长，形成连续的薄膜。采用反溶剂的方法可以加速类钙钛矿的成核和结晶，得到致密均匀的薄膜。但反溶剂的添加过程有严格的技术要求，滴加时间、滴加剂量等都会对钙钛矿薄膜有较大的影响。在制备过程中，反溶剂的滴加时间对薄膜质量有较大的影响。本实验采用乙醚作为反溶剂制备出均匀平整的Cs3Bi2I9非晶薄膜，并将其应用在光电探测器中，得到高性能的平面光电导型钙钛矿光电探测器。
一步旋涂法：
采用一步溶液法可将钙钛矿材料溶于DMF或DMSO溶剂，搅拌混合后滴在衬底上，旋涂形成薄膜，再蒸发或退火去除溶剂即可得到钙钛矿晶体薄膜[29]。
操作步骤：
将处理好的15×15 mm2 Si晶圆（包含氧化层）作为器件的基底放在手套箱上，使用移液枪吸取将处理好的铯铋碘溶液滴，同时开始旋转（转速为2200s/min）。随着旋转的进行，每次取溶液50ul铯铋碘溶液旋涂在硅片上，在14s时加入反溶剂（乙醚），旋涂完毕后，铯铋碘会均匀地分布在硅片表面，形成一层薄膜。停止旋转并将硅片取出，放在退火台（100 0C）上20分钟，即可完成铯铋碘旋涂在硅片上的制备。
（三）有机材料的镀膜
本实验用的是中科院沈阳仪器股份有限公司的DZ-600型真空蒸镀装置和MIKROUNA公司的手套箱，准备已经镀膜好的硅片，将其放入真空室中，并进行高真空抽气处理，使其达到所需的真空度。在同一真空室中准备C8蒸发源，将其加热至适当温度，使其开始蒸发并形成薄膜。将C8蒸发源旋转或倾斜，以便均匀地沉积在硅片表面上。可以使用监视器来监测膜厚度和均匀性。在蒸发过程中，可以通过在真空室中引入惰性气体，如氩气，来控制压力和帮助保持干燥环境。完成蒸发后，可以进行退火处理，以消除应力和提高薄膜质量。然后将基板从真空室中取出，完成C8在铯铋碘薄膜上的镀膜。需要注意的是，在整个过程中应避免污染和其他表面缺陷的出现，以确保最终薄膜的优良性能。
（四）蒸镀电极
本实验采用Au作为器件的源漏极原因：
1.高导电性：Au（金）是一种高导电金属，因此在源漏极上使用Au作为导电材料可以获得更高的导电性能，从而提高器件的工作效率。
2.耐腐蚀性：Au的耐腐蚀性能非常好，不会因为长期使用而受到氧化或腐蚀，因此源漏极使用Au材料可以延长器件的寿命。
3.稳定性高：Au作为一种稳定的材料，在不同的温度和湿度条件下都能保持其稳定性，因此在源漏极上使用Au可以提高器件的稳定性和可靠性。
4.易于加工：Au材料的加工性能好，可以通过各种加工方法制造成不同形状和尺寸的源漏极，从而满足不同应用场景的需求。
5.易于焊接：Au材料的熔点较低，易于进行焊接，因此在源漏极上使用Au可以提高器件的制造效率和可靠性。
蒸镀电极的步骤：
1.准备好金蒸发源和真空蒸发系统。
2.将光敏场效应管放置在蒸发系统中，并进行真空抽气处理，以达到所需的真空度。
3.将金蒸发源加热至适当的温度，使其开始蒸发。
4.控制蒸发速率，使金蒸发源均匀地蒸发金属颗粒，沉积在光敏场效应管的表面上，形成50nm厚的金电极。
5.当金电极达到所需的厚度后，停止金蒸发源的加热，关闭真空蒸发系统，待样品冷却至室温后取出。
需要注意的是，在蒸镀过程中，要保持适当的蒸发速率和蒸发源到样品的距离，以获得均匀、致密的金电极。同时，要控制好蒸发系统中的气体成分和压力，避免污染样品表面，影响蒸镀效果。
3.2.器件性能测试
在器件性能测试中我们需要用到LAKESHORE的半导体特性分析仪以及配套的探针台。
在探针台中放入器件，步骤：1.确保探针已抬起且真空阀已关闭。2.打开通气阀，向样品室内充气，先缓慢开启一点，然后再逐渐加大气流。3.等待气压平衡时，旋开气密螺丝，取走舱盖。4.放入样品，在其过程中不可触碰探针。5.关闭舱盖，拧紧气密螺丝并关闭通气阀。6.开启抽真空系统。7.缓慢开启真空阀，等抽气声音减小后再逐渐加大气流，最后完全开启真空阀。8.下针，先粗略调整，在显微镜显示屏下进行细调，注意最后接触样品时，接触上即可，不可过度，由于有机薄膜和电极都很薄，探针很尖锐容易戳破。
测试完成后或需更换器件时，操作步骤如下：1.关闭真空阀。2.抬起探针并收回至样品台范围外。3.开启通气阀，先缓慢开启一点，充气声音变小后再慢慢加大气流。4.等气压平衡后，拧开气密螺丝取下舱盖。5.小心取出样品，最好使用两个镊子一起操作，取样过程中不可触碰探针。6.盖好舱盖，拧紧气密螺丝并关闭通气阀。7.缓慢打开真空阀，待抽气声音减小后再慢慢的加大气流，最后完全开启真空阀。8.抽完真空后关闭真空阀和抽真空系统。
图5 C8、并五苯、CuPc匀胶机
图6手套箱
在图7-12中，通过对比漏极电流ID在黑暗条件下和光照下有明显区别。通常情况光照下的电流远大于黑暗时的电流。这是因为器件在光照下产生大量的激子。受异质结界面强电场的影响，激子在铯铋碘和有机物的界面处快速分离成自由空穴和自由电子，极大地增加了器件的光生电流[30]。有机光敏场效应管重要的参数有迁移率、光电流-暗电流比、光响应度。
线性区：
饱和区：
光电流-暗电流比：
其中Iph是光电流，Idark是暗电流，Iill是光照下的漏极电流。
光响应度：
分析：图7和图8实验用单层并五苯制备的场效应管和Cs3Bi2I9+并五苯制备的光敏场效应管做了其非光照和光照条件的输出特性曲线。从图7和图8的单层的并五苯所制作的场效应管，通过对比光照和非光照条件器件的IDS，发现在VGS=50V、VDS=-50v和光照的条件下，漏极电流从无光照-6uA增加到-17uA，增加了三倍左右，然而Cs3Bi2I9+并五苯制备的光敏场效应管在相同条件下漏极电流从4.5uA到6.2uA，只增加了1.3倍。图中的并五苯和铯铋碘的暗电流和单层并五苯制备的场效应管产生的电流相差不大。光照条件产生的光生电流也没有明显的增加。由公式（4）、（5）知其光暗电流比和光响应度较小。故Cs3Bi2I9+并五苯所制作的光敏场效应管的性能不好。
分析：图9和图10的实验用单层CuPc制备的场效应管和Cs3Bi2I9+CuPc制备光敏场效应管做了其输出特性曲线，在VDS=-50V、VGS=-50V的条件下，单层的酞菁铜制备的场效应管的漏电流相对较低，暗电流为0.013uA,光电流为0.14uA，增加了10.7倍，而且光照后漏电流随着VDS呈现直线关系。虽然Cs3Bi2I9+CuPc的暗电流相比于CuPc的暗电流高83.3倍，但光照后其光电流只有-0.33uA,说明Cs3Bi2I9+CuPc器件在光照时抑制了光电流。
分析：图11和图12的实验用单层C8制作的场效应管和Cs3Bi2I9+C8制作的有机光敏场效应管分别在光照和非光照条件下做了其输出特性曲线。在VDS=-50V、VGS=-50V的条件下，单层C8制作的场效应管只有-0.00008uA,光照后为-0.0004uA,增加了6倍。相同条件下Cs3Bi2I9+C8的,暗电流为-0.00002uA相比于单层C8的4倍左右，光照后其光电流为0.015uA，约为750倍。根据（4）、（5）公式知其光暗电流比和光响应度会相比于其他2种材料较高，光暗电流比高，说明器件在暗环境下的噪声水平较低，可以提高器件的灵敏度和信噪比；光响应度高，说明器件对光信号的响应能力强，可以提高器件的检测精度和稳定性。
第四章总结与展望
对光敏有机场效应管进行文献查阅后，研究了铯铋碘有机光敏场效应晶体管。选用重掺杂的n型硅作为衬底，SiO2作为栅绝缘介质，C8/CuPc/并五苯作为有机层，金作为源漏电极，通过测试输出特性曲线研究其性能。Cs3Bi2I9+C8的光暗电流比和光响应度比较好，主要得益于精密仪器和乙醚反溶剂法制备流程的操作方法。实验结果需要通过千万次实验和分析，掌握科学的方法，善于去发现和总结实验数据的原因才能得到更好的结果。
铯铋碘光敏有机场效应管是一种新型的光敏器件，具有高灵敏度、高速度、低噪声、低功耗等优点，具有广泛的应用前景。首先，在光通信领域，铯铋碘光敏有机场效应管可以用于高速光信号接收和检测，可以实现高速率的数据传输，提高光通信系统的传输速率。其次，在医学诊断领域，铯铋碘光敏有机场效应管可以用于红外光谱分析，对于生物分析和药物检测具有重要意义。此外，它还可以用于生物成像和分子传感器等方面的研究。另外，在安防监控领域，铯铋碘光敏有机场效应管可以用于夜视和红外测温等方面，可以提高监控设备的性能和灵敏度，增强安全防范能力。总之，铯铋碘光敏有机场效应管是一种具有重要应用前景的新型光敏器件，将在多个领域发挥作用，推动科技的进步和发展。
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致谢
在此，我要向所有支持和帮助我的人表达我的感激之情。首先，我要感谢我的导师，他们的悉心指导和无私的支持使我在学术上取得了很大的进步。他们不仅在我的研究中提供了宝贵的意见和建议，而且在我生活中也提供了许多帮助和支持。其次，我要感谢我的同学和朋友还有学长，他们在我研究和学习中给予了我很多帮助和鼓励。他们的支持和友谊使我能够度过许多困难的时刻，同时也使我更加热爱我的学习和研究。最后，我要感谢我的家人和亲人，他们的支持和鼓励使我能够专注于我的研究和学习，同时也使我更加坚定了我的信念。我要特别感谢我的父母，他们一直是我的坚强后盾，给予了我无限的爱和支持。在这篇论文致谢中，我无法列举所有给予我帮助和支持的人，但我要向所有的老师、同学、朋友和家人表达我的感激之情。没有你们的支持和帮助，我无法完成我的学业和研究。谢谢你们！
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